特許

J-GLOBAL ID：200903030605001744

窒化ガリウム系半導体光発光素子

発明者： 板谷 和彦 ,  国分 義弘 ,  西尾 譲司 ,  藤本 英俊 ,  杉浦 理砂
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213412
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065271
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 従来のナイトライド系の化合物半導体を用いたレーザーでは連続発振が困難であり、しきい値が著しく高いという問題があった。【解決手段】 本発明は量子井戸構造の障壁層として最適な組成に設定したInGaAlNを採用し、また障壁層をInGaAlNを含む、超格子構造、あるいは不純物ドープとさせたものである。これにより井戸構造のベア数をさらに低減し、低しきい値化可能とし連続発振もできるようにした。

請求項（抜粋）：

多重量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の障壁層がIn<SB>x</SB> Ga<SB>1-x-y</SB> Al<SB>y</SB>N(0<x<0.5、Y<0.8x+0.05)からなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079045   出願人：日亜化学工業株式会社
• 量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-267684   出願人：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272321   出願人：株式会社日立製作所