特許
J-GLOBAL ID：200903001873908841
シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021888
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231634
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 ノジュールを伴わず、かつ、主表面におけるエピタキシャル層の抵抗率が良好なシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第一の気相成長工程により、シリコン単結晶基板1の裏面2上及び側面3上に気相成長によりシリコンエピタキシャル層4を形成し、第二の気相成長工程により、第一の気相成長工程が施されたシリコン単結晶基板1の主表面5上及び側面3上に気相成長によりシリコンエピタキシャル層6を形成してシリコンエピタキシャルウェーハ10を製造する。
請求項（抜粋）：
裏面上及び側面上にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコン単結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主表面上及び側面上に形成されたシリコンエピタキシャル層とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
Fターム (17件)：
5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AC13
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045BB06
, 5F045BB15
, 5F045DP15
, 5F045DP16
, 5F045DQ04
, 5F045EB15
, 5F045EF03
, 5F045EK03
, 5F045EM09
, 5F045GH02
, 5F045HA11
, 5F045HA24
