特許
J-GLOBAL ID：200903001915125222

基板処理装置のクリーニング方法

発明者：
原 正道

原 正道 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-334214
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101361
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】処理容器内から十分に付着物を取り除くことができる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】成膜装置1の処理チャンバ2内にHhfacを含んだ第1のクリーニングガスを供給して、処理チャンバ2内からサセプタ4等に付着しているHfO2等を取り除く。その後、処理チャンバ2内にNF3及びArを含んだ第2のクリーニングガスを供給するとともに処理チャンバ2内に配設されたシャワーヘッド12と電極5との間に高周波電圧を印加し、Fラジカル及びArイオンを発生させて、残りのHfO2等を処理チャンバ2内から取り除く。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板処理装置の処理容器内にプラズマ化されていない第1のクリーニングガスを供給し、前記プラズマ化されていない第1のクリーニングガスにより前記処理容器内から付着物を取り除く第1のクリーニング工程と、 前記処理容器内に第2のクリーニングガスを供給し、前記処理容器内で前記第2のクリーニングガスをプラズマ化して、プラズマ化された第2のクリーニングガスにより前記処理容器内から付着物を取り除く第2のクリーニング工程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L21/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/304 645Z ,  H01L21/302 101H
Fターム (24件)：
5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F004EA28 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EB09 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH18 ,  5F045EN04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • CVD装置の洗浄方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-206557   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
審査官引用 (3件)

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