特許

J-GLOBAL ID：200903001921909952

パワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板及びパワーモジュール

発明者： 長友 義幸 ,  小川 怜子 ,  長瀬 敏之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  江口 昭彦 ,  杉浦 秀幸 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373892
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207445
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】パワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板及びパワーモジュールにおいて、半田の濡れ性向上及びボイドの低減を図ること。【解決手段】金属基板2、3上にNiP無電解メッキを施してNiPメッキ層6を形成する第1のメッキ工程と、前記NiPメッキ層上にCu原子を付着させてCu原子層7を形成するCu付着工程とを有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

金属基板上にNiP無電解メッキを施してNiPメッキ層を形成する第1のメッキ工程と、 前記NiPメッキ層上にCu原子を付着させてCu原子層を形成するCu付着工程とを有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L23/12 ,  C23C18/32 ,  C25D7/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (4件)：

H01L23/12 F ,  C23C18/32 ,  C25D7/12 ,  H01L25/04 C

Fターム (18件)：

4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA33 ,  4K022DA03 ,  4K022EA04 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB17 ,  4K024AB19 ,  4K024BA15 ,  4K024BB09 ,  4K024CA05 ,  4K024CA16 ,  4K024DA08 ,  4K024DB01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• パワーモジュール用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043654   出願人：昭和電工株式会社
• 放熱構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-189010   出願人：電気化学工業株式会社
• 特開昭62-128594
  
• 特開平1-301866
  
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130247   出願人：奥野製薬工業株式会社