特許

J-GLOBAL ID：200903001921972492

半導体装置の作製方法

発明者： 岡本 悟
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-323901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209260
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、当社開発のGOLD構造TFTのゲート電極形成工程での問題点を解決することを課題とする。【解決手段】絶縁基板上に島状の半導体膜を形成し、前記半導体膜上に酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に窒化タンタル又はタンタルからなる第1層ゲート電極膜を形成し、前記第1層ゲート電極膜上にタングステン、タングステンを主成分とする化合物、又は窒化タングステンからなる第2層ゲート電極膜を形成し、前記第2層ゲート電極膜上にマスクを形成し、フッ素系ガスと塩素系ガスと酸素を含むエッチングガスを用ることによって、1ステップのドライエッチング処理で前記第2層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法が前記第1層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法よりも短くなるように形成することができるため、GOLD構造TFTの作製行程を減少させることができる。。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に島状の半導体膜を形成し、前記半導体膜上に酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に窒化タンタル又はタンタルからなる第1層ゲート電極膜を形成し、前記第1層ゲート電極膜上にタングステン、タングステンを主成分とする化合物、又は窒化タングステンからなる第2層ゲート電極膜を形成し、前記第2層ゲート電極膜上にマスクを形成し、フッ素系ガス、塩素系ガス、及び酸素を含む一定流量のエッチングガスを用いて、チャンバ圧力、ICP電力密度、バイアス電力密度、並びに前記フッ素系ガス、前記塩素系ガス、及び前記酸素の流量比を変化させることなくエッチング処理することにより、前記ゲート絶縁膜を露出させ、前記第2層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法が前記第1層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法よりも短くなるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (7件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/58 G ,  H01L 21/302 104 C ,  H01L 21/302 301 S

Fターム (76件)：

4M104AA09 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB32 ,  4M104DD65 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004EB02 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-335344   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-018600   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-037959   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-221386   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-221386   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所