半田バンプの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮越典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295691
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139095
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】半田バンプ形成工程において、ウエハ-プロセスでバリアメタル層を形成する必要がない半田バンプの形成方法を提供すること。【構成】半田7a/Cu又はNi7b/Au7cよりなる三層クラッド材を、微細プレス加工技術を用いて、直接半導体IC 1上の電極部2に打ち抜き圧着し(三層クラッド材打ち抜き片7として圧着し)、次に、超音波印加用金属製シ-ルを用いて三層クラッド材打ち抜き片7と電極部2とを接合させ、その後、加熱溶融することにより半田バンプ9を形成する。【効果】従来法のように半導体IC 1の電極部2上にウエハ-プロセスでバリアメタル層を形成する必要がないので、プロセスの簡易化が図れる。

請求項（抜粋）：