半導体装置及びこれの製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033521
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229078
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】均一な特性を有する膜を形成しつつ不純物の拡散を抑制する製造装置を提供する。【解決手段】ヒータ10を用い、均熱管11を介して予備室12の内部全体を1000°Cにする。円筒構造15,16の基体及び孔17,18によって、導入部13,3を結ぶ曲がりくねったガスの流路が形成されている。予備室12へと流入されたN2Oガスは面板14との接触によって直ちに1000°Cとなり、内容積が12.6リットル以上の予備室12内の流路にて十分に熱を与えられ、自己分解反応が終了する。従って、チューブ4内にては自己分解反応による発熱は生ぜず、チューブ4内の温度は均一のままである。断熱材9を介しておりヒータ10とは独立であるヒータ1によってチューブ4内のウェーハWは800°Cに保たれている。

請求項（抜粋）：

内部に半導体が収納されて温度処理が行われる製造室と、前記温度処理に用いられる気体の昇温を行う昇温室とを備え、前記昇温室は、前記気体が通過する入口及び出口を有し、前記入口及び出口を曲がりくねりつつ結ぶ昇温路を内部に有する基体によって形成する、半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/31 E , H01L 21/318 C , H01L 21/324 R

引用特許：

審査官引用 (7件)

CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-063324 出願人：ソニー株式会社
基板の熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192562 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開昭62-124738

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