特許
J-GLOBAL ID：200903001957976958

基板上形成素子の分離方法

発明者：
小倉 嘉博

小倉 嘉博 について

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青山 昇

青山 昇 について

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早川 順

早川 順 について


出願人/特許権者：
オグラ宝石精機工業株式会社

オグラ宝石精機工業株式会社 について

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株式会社ファインディバイス

株式会社ファインディバイス について


代理人 (2件)： 奥田 弘之 ,  奥田 規之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047271
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259846
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】素子に対して加工屑の付着による悪影響を及ぼすことなく、分離用凹部の形成を高速化できる技術の実現。【解決手段】サファイア基板10上に形成された複数の青色LED素子18を基板10の一部と共に切り分けるに際し、素子18を形成する前の基板10の表面に、各素子18の切断予定ラインに沿った凹部12を形成する工程と、基板10の表面にレーザビームを照射することにより、切断予定ラインに沿った線状脆弱部16を内部に形成する工程と、基板10の表面に複数の素子18を形成する工程と、基板18に力を加えることにより、切断予定ラインに沿って基板10を砕裂させる工程を備えた。切断予定ラインは碁盤目状に設定されており、それぞれの交差部分にレーザビームを照射することによって十字形状の凹部12が形成される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に形成された複数の素子を、基板の一部と共に切り分ける基板上形成素子の分離方法であって、 素子を形成する前の基板の表面及び裏面の少なくとも一方に、各素子の切断予定ラインに沿った凹部を形成する工程と、 該基板の表面に、複数の素子を形成する工程と、 該基板に力を加え、上記切断予定ラインに沿って基板を砕裂させる工程と、 を備えたことを特徴とする基板上形成素子の分離方法。
IPC (3件)：
H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  H01L33/00
FI (4件)：
H01L21/78 V ,  B23K26/00 D ,  H01L33/00 C ,  H01L21/78 B
Fターム (10件)：
4E068AA01 ,  4E068AD01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068DA09 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76
引用特許：
審査官引用 (4件)
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