特許
J-GLOBAL ID：200903058981714257
窒化ガリウム系半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195813
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 素子自体にはクラックが発生しないようにして素子の収率を向上させること及び素子自体の残留応力を解消して素子の信頼性を向上させること。【解決手段】 サファイア基板上に、複数の十字溝を、それぞれの先端を互いに向かい合わせるように配置し、且つそれぞれの中心点が四角形の頂点に位置するように配置している。このようなサファイア基板上に3-5族化合物半導体層の結晶成長を行うと、前記十字溝の溝に沿って結晶成長が進む。この際、溝を形成する斜面で囲まれた部分は実効的に成長速度が速く、成長面は略平坦に形成されていくため、この溝の部分には特に応力が集中しやすく、前記四角形の辺に沿ってクラックが発生し、その代わり、前記四角形内部の素子領域にはクラックが生じない。これにより、素子自体にはクラックが発生しないため、素子の収率を向上させるだけでなく、素子自体の残留応力を解消して素子の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも1層以上の3-5族化合物半導体の成長層を積層した窒化ガリウム系半導体素子において、前記基板の主面に、所定間隔離して規則的に配置され且つ所定形状を有する複数の凹部を形成することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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