特許
J-GLOBAL ID:200903001979883244
プラズマCVD装置及びフッ化有機膜、シランカップリング基を有する有機膜
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-024685
公開番号(公開出願番号):特開2009-185316
出願日: 2008年02月05日
公開日(公表日): 2009年08月20日
要約:
【課題】膜厚均一性及びステップカバレッジを向上させることができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマCVD装置は、単量体を有する有機物原料ガスがプラズマによって重合されて基材3に成膜されるプラズマCVD装置であって、真空容器1と、真空容器1内に配置され、前記基材3の電位がフロートとされ、前記基材3が保持される保持電極2と、前記真空容器1内に配置され、前記保持電極2に保持された前記基材3に対向して配置されたリング電極4と、前記リング電極4に電気的に接続された高周波電源と、を具備することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
単量体を有する有機物原料ガスがプラズマによって重合されて基材に成膜されるプラズマCVD装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に配置され、前記基材の電位がフロートとされ、前記基材が保持される保持電極と、
前記真空容器内に配置され、前記保持電極に保持された前記基材に対向して配置されたリング電極と、
前記リング電極に電気的に接続された高周波電源と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (4件):
4K029BA62
, 4K029CA12
, 4K029DA09
, 4K029EA09
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特開昭58-090731
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高周波放電装置及び高周波処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-034915
出願人:名古屋大学長, 株式会社東芝
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特開昭60-255106
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審査官引用 (6件)
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特開昭58-090731
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高周波放電装置及び高周波処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-034915
出願人:名古屋大学長, 株式会社東芝
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特開昭60-255106
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