特許
J-GLOBAL ID:200903001994661339
磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
須山 佐一
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 須山 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-086422
公開番号(公開出願番号):特開2007-266122
出願日: 2006年03月27日
公開日(公表日): 2007年10月11日
要約:
【課題】MR変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子が,磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と,磁化固着層上に配置され,かつ絶縁層と,この絶縁層を貫通する金属導電体と,を有するスペーサ層と,スペーサ層上に,金属導電体と対向して配置され,かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と,を具備する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と,
前記磁化固着層上に配置され,かつ絶縁層と,この絶縁層を貫通する金属導電体と,を有するスペーサ層と,
前記スペーサ層上に,前記金属導電体と対向して配置され,かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と,
を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (11件):
H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01F 41/18
, H01F 41/20
, H01F 41/22
FI (10件):
H01L43/08 Z
, H01L43/10
, H01L27/10 447
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/30
, H01F10/32
, H01F41/18
, H01F41/20
, H01F41/22
Fターム (65件):
4M119AA06
, 4M119AA15
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119CC02
, 4M119CC04
, 4M119DD04
, 4M119DD09
, 4M119DD33
, 4M119DD37
, 4M119DD42
, 4M119DD45
, 4M119EE03
, 4M119EE22
, 5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049BA25
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049DB14
, 5E049GC01
, 5E049GC06
, 5E049HC01
, 5E049JC05
, 5F092AA02
, 5F092AA06
, 5F092AB02
, 5F092AB07
, 5F092AB08
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD12
, 5F092BB09
, 5F092BB10
, 5F092BB15
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB31
, 5F092BB32
, 5F092BB33
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC18
, 5F092BC22
, 5F092BE06
, 5F092BE13
, 5F092BE14
, 5F092BE24
, 5F092BE25
, 5F092BE27
, 5F092BE30
, 5F092CA13
引用特許:
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