特許
J-GLOBAL ID：200903054675736659

磁気抵抗効果素子の製造方法および製造装置

発明者：
福澤 英明

福澤 英明 について

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鴻井 克彦

鴻井 克彦 について

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湯浅 裕美

湯浅 裕美 について

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橋本 進

橋本 進 について

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岩崎 仁志

岩崎 仁志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-233641
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054257
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】面積抵抗RAの大幅な増大を招くことなく、高いMR変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】磁化固着層と、磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層を形成するにあたり、前記電流パスを形成する第1の金属層を成膜し、前記第1の金属層上に、前記絶縁層に変換される第2の金属層を成膜し、前記第2の金属層に希ガスのイオンビームまたはRFプラズマを照射して前記第2の金属層中に前記第1の金属層の一部を侵入させる前処理を行い、酸化ガスまたは窒化ガスを供給して、前記第2の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記電流パスを形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、 前記スペーサ層を形成するにあたり、 前記電流パスを形成する第1の金属層を成膜し、 前記第1の金属層上に、前記絶縁層に変換される第2の金属層を成膜し、 前記第2の金属層に希ガスのイオンビームまたはRFプラズマを照射する前処理を行い、 酸化ガスまたは窒化ガスを供給して、前記第2の金属層を前記絶縁層に変換することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G01R 33/09
FI (8件)：
H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R
Fターム (25件)：
2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049GC06 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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