シリコンと炭素を含有するエピタキシャル層の形成及び処理

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-291240
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147633
出願日： 2007年11月08日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】炭素ドープされたシリコンエピタキシャル層における置換炭素含量を改善する方法の提供。【解決手段】シリコンと炭素を含有するエピタキシャル層を形成し処理する方法が開示される。一以上の実施形態によれば、処理により、エピタキシャル層における格子間炭素が置換炭素に変換される。個々の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。個々の実施形態において、エピタキシャル層の処理は、例えば、レーザアニール、ミリ秒アニール、急速熱アニール、スパイクアニール、又はそれらの組合せによって短時間アニールすることを含む。実施形態には、シリコンと炭素を含有するエピタキシャル層の少なくとも一部のアモルファス化が含まれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上のSi:Cエピタキシャル層を処理する方法であって、基板上に炭素とシリコンを含有するエピタキシャル層が堆積されている基板を準備するステップであって、該炭素が格子間炭素と約0.5原子%を超える置換炭素を含む前記ステップと、該エピタキシャル層をイオン注入するステップと、該基板とエピタキシャル層を約800°C〜約1350°Cの温度でアニールして、該エピタキシャル層内の格子間炭素の少なくとも一部を置換炭素に変換して、該置換炭素レベルを約0.5原子%を超えるまで増加させるステップと、を含む前記方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (6件)：

H01L21/20 , H01L21/265 Q , H01L21/265 602B , H01L21/265 602C , H01L29/78 301S , H01L27/08 321E

Fターム (34件)：

5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F048DA30 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BG09 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK20 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CE18 , 5F152LL03 , 5F152LL18 , 5F152LM09 , 5F152LN08 , 5F152MM04 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体積層体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-020513 出願人：株式会社日立製作所
狭禁止帯幅特性を有する炭素ドーピング・シリコン半導体デバイスとその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-259712 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
移動性を改善したMOSFET素子およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259561 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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