特許
J-GLOBAL ID：200903002007679260

化合物半導体装置およびその製造方法

発明者：
金村 雅仁

金村 雅仁 について

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吉川 俊英

吉川 俊英 について

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多木 俊裕

多木 俊裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353460
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165207
出願日： 2004年12月07日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いGaN系HEMTを提供する。【解決手段】GaN系HEMTは、基板と、窒化ガリウム系半導体と、融点が3000°Cと高融点金属のタンタルと低融点金属のアルミニウムが前記窒化ガリウム系半導体上に積層されてなる前記ソースおよび前記ドレイン電極を備えている。前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記タンタルと前記アルミニウムの積層膜厚の比(前記アルミニウム膜厚/前記タンタル膜厚)を10以上にし、積層後のアニール処理温度が510°C以上、600°C未満で処理されて成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と、タンタルとアルミニウムが前記窒化ガリウム系半導体上に任意の順に積層されてなるオーミック電極を備えることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/417
FI (4件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/80 H ,  H01L29/50 J
Fターム (30件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5F102HC24
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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