特許
J-GLOBAL ID:200903004527956529

電界効果型化合物半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-164908
公開番号(公開出願番号):特開2002-359256
出願日: 2001年05月31日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 電界効果型化合物半導体装置に関し、GaN系化合物半導体装置のオン耐圧を高めるとともに、I-V特性を改善する。【解決手段】 Alx Ga1-x N(0y Ga1-y N(0≦y≦1、且つ、y 請求項(抜粋):
Alx Ga1-x N(0y Ga1-y N(0≦y≦1、且つ、y IPC (3件):
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
Fターム (17件):
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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