特許
J-GLOBAL ID：200903004527956529
電界効果型化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164908
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359256
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 電界効果型化合物半導体装置に関し、GaN系化合物半導体装置のオン耐圧を高めるとともに、I-V特性を改善する。【解決手段】 Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x≦1)からなるキャリア供給層3の上部に走行キャリアと同導電のAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>N(0≦y≦1、且つ、y<x)からなるGaN系保護層4を設け、前記GaN系保護層4上にゲート電極6及びソース・ドレイン電極7を形成するとともに、前記各電極間をSiN膜5で被覆する。
請求項（抜粋）：
Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x≦1)をキャリア供給層とし、GaNをキャリア走行層とした電界効果型化合物半導体装置において、前記キャリア供給層の上部に走行キャリアと同導電の第一導電型のAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>N(0≦y≦1、且つ、y<x)からなるGaN系保護層を設け、前記GaN系保護層上にゲート電極及びソース・ドレイン電極を形成するとともに、前記各電極間をSiN膜で被覆したことを特徴とする電界効果型化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GN04
, 5F102GN08
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GR10
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC10
, 5F102HC15
