特許
J-GLOBAL ID:200903002053964514
近接場光プローブを用いたレーザ光励起エッチング加工装置及び加工方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 陽介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-096912
公開番号(公開出願番号):特開2001-284294
出願日: 2000年03月31日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 加工効率を向上させ、実用性を高めた、近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。【解決手段】 反応槽260内の反応ガスを光励起して、被加工物240にエッチング加工を施す光励起エッチング加工装置10Aにおいて、各々独立に位置制御可能な複数の近接場光プローブ100A〜100Cと、各近接場光プローブ100A〜100Cが発生する近接場光の光源となるレーザ発振器210と、反応槽260に設けられるウィンドウ262を介して、レーザ発振器210のレーザを集光して各近接場光プローブ100A〜100Cに入射させる集光レンズ30A〜30Cとを備えた構成とした。この場合、近接場光プローブ100A〜100Cを各々独立に位置制御可能とする手段として、近接場光プローブ100A〜100Cの1次元的乃至3次元的な位置を制御するステージ装置を用いると良い。
請求項(抜粋):
反応槽内の反応ガスを光励起して、被加工物にエッチング加工を施す光励起エッチング加工装置において、上記光励起手段として、複数の各々制御可能な近接場光プローブを用いたことを特徴とする近接場光プローブを用いたレーザ光励起エッチング加工装置。
IPC (5件):
H01L 21/302
, B81C 5/00
, C23F 4/04
, G01B 11/00
, G12B 21/02
FI (5件):
B81C 5/00
, C23F 4/04
, G01B 11/00 B
, H01L 21/302 Z
, G12B 1/00 601 A
Fターム (35件):
2F065AA06
, 2F065BB01
, 2F065CC19
, 2F065DD06
, 2F065FF00
, 2F065GG04
, 2F065GG05
, 2F065HH13
, 2F065JJ01
, 2F065JJ09
, 2F065LL04
, 2F065LL20
, 2F065LL46
, 2F065NN20
, 2F065PP12
, 4K057DA11
, 4K057DB05
, 4K057DB06
, 4K057DB20
, 4K057DD06
, 4K057DE01
, 4K057DE06
, 4K057DM40
, 4K057DN01
, 4K057DN03
, 4K057DN10
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB03
, 5F004BC08
, 5F004DA04
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB09
引用特許:
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