特許
J-GLOBAL ID：200903002072092145
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284648
公開番号（公開出願番号）：特開2000-111951
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板の電極を透明金属で形成し、透過率を向上させることができると共に、横電界方式の液晶表示装置と同一の動作をすることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタ側基板7と、この薄膜トランジスタ側基板7に対向する対向側基板9と、前記対向側基板9及び薄膜トランジスタ側基板7との間に挟持される液晶17と、を有し、前記対向側基板9の薄膜トランジスタ側基板7との対向面9aには、透明な導電体電極が形成され、前記薄膜トランジスタ側基板7の対向側基板9との対向面7aには、画素電極6とこの画素電極6部分に整合する位置にスリットが設けられた層間絶縁膜8とが形成されており、前記液晶17は、負の誘電率異方性を有する。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜トランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、画素電極とこの画素電極部分に整合する位置にスリットが設けられた層間絶縁膜とが形成されており、前記液晶は、負の誘電率異方性を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
2H092GA14
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB14
, 2H092MA08
, 2H092NA07
, 2H092NA25
, 2H092PA06
, 2H092QA18
