特許
J-GLOBAL ID：200903002079457238

ナノチューブ・センサ

発明者：
コレ,バレット・イー

コレ,バレット・イー について

, 
ヒガシ,ロバート・イー

ヒガシ,ロバート・イー について


出願人/特許権者：
ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド について


代理人 (5件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-555821
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508348
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
バイモルフ構造物上に成長させ、それによって支持されたナノチューブを有するセンサ。ナノチューブは、気体または液体を検知している間、ヒートシンク上に着座し、気体または液体をナノチューブから脱着するために加熱されるとヒートシンクから離れる。ヒートシンクはトランジスタのゲートとして機能し、バイモルフ構造物がその他のトランジスタの端子として機能する。ナノチューブの電流-電圧および電流-ゲート電圧特性を、トランジスタと同様な素子として得ることができる。これら特性は、ナノチューブに吸収された気体または液体についての情報を提供することができる。
請求項（抜粋）：
第1の構造物と、 前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第2の構造物と、 前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第3の構造物と、 前記第2および第3の構造物の前記第2の端部に取り付けられた少なくとも1つのナノチューブと を備えるナノチューブ・センサ。
IPC (1件)：
G01N 27/12
FI (2件)：
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
Fターム (14件)：
2G046AA10 ,  2G046AA13 ,  2G046BA00 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC02 ,  2G046BC03 ,  2G046BE04 ,  2G046BE06 ,  2G046DB01 ,  2G046DB07 ,  2G046DB08 ,  2G046EA04 ,  2G046FB00
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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