特許
J-GLOBAL ID：200903002090321623
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231042
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057462
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 クラッド層と活性層との界面で生じるバンドギャップ不連続を低減し、動作電圧、動作電流の向上を図った半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、結晶基板と、結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、第一のレーザ素子部は、膜厚が0.01μm以上、0.1μm以下であるバルク構造の活性層を有し、第二のレーザ素子部は、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
結晶基板と、前記結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、前記結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、前記第一のレーザ素子部は、第一導電型のクラッド層と、この第一導電型のクラッド層上に設けられ、膜厚が0.01μm以上、0.1μm以下であるバルク構造の活性層と、レーザの共振方向に沿ったリッジ状ストライプ形状の第二導電型のクラッド層と、この第二導電型のクラッド層の側面部分を覆うよう活性層上に形成された電流阻止層とを有し、前記第二のレーザ素子部は、第一導電型のクラッド層と、この第一導電型のクラッド層上に設けられ、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層と、レーザの共振方向に沿ったリッジ状ストライプ形状の第二導電型のクラッド層と、この第二導電型のクラッド層の側面部分を覆うよう活性層上に形成された電流阻止層とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (8件)：
5F073AA07
, 5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB06
, 5F073BA05
, 5F073CA05
, 5F073CA14
