特許

J-GLOBAL ID：200903017963991407

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 内藤 浩樹 ,  粂 雅博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066002
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083954
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 光情報処理等の光源として用いられる低動作電流値の実屈折率導波型の半導体レーザ装置の歩留まりを向上させる。【構成】 n型の半導体基板1の上にバッファ層2及びクラッド層3が形成され、クラッド層3の上にGa1-X AlX Asよりなる活性層4が形成されている。活性層の上にGa1-Y1AlY1Asよりなるn型の第1の光ガイド層5が形成され、第1の光ガイド層5の上にGa1-Y2AlY2Asよりなるn型の第2の光ガイド層6がストライプ状に形成されている。第1の光ガイド層5及び第2の光ガイド層6の上には、Ga1-Y3AlY3Asよりなるn型のクラッド層7が形成され、第1の光ガイド層5とクラッド層7との間の界面抵抗は、第1の光ガイド層5と第2の光ガイド層6との間の界面抵抗及び第2の光ガイド層5とクラッド層7との間の界面抵抗のいずれよりも大きい。活性層4、第1及び第2の光ガイド層5,6並びにクラッド層7の各混晶比のX、Y1、Y2及びY3の間にY3>Y2及びY1>X≧0の関係が成り立っている。

請求項（抜粋）：

屈折率がnX である活性層の上方に屈折率がnY1である一導電型の第1の半導体層が形成され、前記第1の半導体層の上に該第1の半導体層に接して屈折率がnY2である一導電型の第2の半導体層がストライプ状に形成され、前記第1の半導体層および第2の半導体層の上に該第1の半導体層および第2の半導体層に接して屈折率がnY3である一導電型の第3の半導体層が形成され、前記活性層、第1の半導体層、第2の半導体層および第3の半導体層は、第1の半導体層と第3の半導体層との間の界面抵抗が第1の半導体層と第2の半導体層との間の界面抵抗および第2の半導体層と第3の半導体層との間の界面抵抗のいずれよりも大きくなり、活性層の屈折率nX が第1の半導体層の屈折率nY1よりも大きくかつ第2の半導体層の屈折率nY2が第3の半導体層の屈折率nY3よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。