特許
J-GLOBAL ID：200903002110097237

半導体装置及びその製造方法

発明者：
大田 裕之

大田 裕之 について

, 
福留 秀暢

福留 秀暢 について

, 
川村 和郎

川村 和郎 について

, 
保坂 公彦

保坂 公彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-186460
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059881
出願日： 2006年07月06日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】製造工程を複雑にすることなく、金属シリサイドよりなるゲート電極及びこのゲート電極を覆うストレッサ膜を形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10内にチャネル領域を挟んで形成されたソース/ドレイン領域38と、チャネル領域上にゲート絶縁膜12を介して形成された金属シリサイドよりなるゲート電極44とを有するN型MISFETと、ゲート電極44を内包するようにゲート電極44の側壁部から上面部に渡って形成され、1GPa〜2GPaの引張り応力を有し、チャネル領域に引っ張り応力を印加する絶縁膜46とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内にチャネル領域を挟んで形成されたソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された金属シリサイドよりなるゲート電極とを有するN型MISFETと、 前記ゲート電極を内包するように前記ゲート電極の側壁部から上面部に渡って形成され、1GPa〜2GPaの引張り応力を有し、前記チャネル領域に引っ張り応力を印加する第1の絶縁膜と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (7件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301N ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102B ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 K
Fターム (109件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD66 ,  4M104DD84 ,  4M104EE01 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033XX19 ,  5F048AA00 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF06 ,  5F048DA23 ,  5F048DA30 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF34 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG40 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK01 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140BK39 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CC16 ,  5F140CE06 ,  5F140CE08 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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