半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252127
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】ウェルを有する半導体装置に関し、MOSFETのソース/ドレィン領域の拡散層容量を大きくすることなく、素子面積を小さくして集積度の向上すること。【解決手段】半導体基板1に形成された一導電型不純物拡散層からなるウェル6と、前記ウェル6の表層に形成されるMOSトランジスタのソース、ドレインとなる反対導電型不純物拡散層12s,12dと、前記反対導電型不純物拡散層12s,12dの下に接合して形成され、前記ウェル6よりも低い濃度の低濃度一導電型不純物拡散層6aとを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された一導電型不純物拡散層からなるウェルと、前記ウェルの表層に形成されるMOSトランジスタのソース、ドレインとなる反対導電型不純物拡散層と、前記反対導電型不純物拡散層の下に接合して形成され、前記ウェルよりも低い濃度の低濃度一導電型不純物拡散層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 321 B

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭58-124269
電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060091 出願人：シャープ株式会社
特開平4-071268

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