半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237551
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】回路基板の厚さにばらつきがあったとしてもバリの発生を抑えることができ、また、樹脂を金型に流し込む際に樹脂の未充填や回路基板と半導体チップの剥離を引き起こすなどの不具合を発生することを防止する。【解決手段】基板11の一主面上に搭載され、電極を有する半導体チップ13と、半導体チップを封止するように基板の一主面側に形成された樹脂封止層18と、半導体チップの電極に接続され、一部が樹脂封止層により被覆されるように形成された第1の配線15と、樹脂封止層の外周部に沿って形成され配線15の一部を引きまわして形成されたダミー配線19とを有し、ダミー配線19同士は、所定の領域で互いに離間している。

請求項（抜粋）：

基板の一主面上に搭載され、電極を有する少なくとも1個の半導体チップと、前記半導体チップを封止するように前記基板の一主面側に形成された樹脂封止層と、前記電極に接続され、一部が前記樹脂封止層により被覆されるように形成された複数の第1の配線と、前記樹脂封止層の外周部に沿って形成され前記配線の一部を引きまわして形成されたダミー配線とを有し、前記ダミー配線同士は、所定の領域で互いに離間していることを特徴とする半導体装置。

Fターム (5件)：

4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA21 , 4M109DB07 , 4M109DB08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-154013 出願人：株式会社東芝
半導体の封止方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-293576 出願人：ソニー株式会社
特開平3-001560

全件表示

前のページに戻る