特許
J-GLOBAL ID：200903002157905692

絶縁膜測定装置、絶縁膜測定方法及び絶縁膜評価装置

発明者：
森田 幸弘

森田 幸弘 について

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西谷 幹彦

西谷 幹彦 について

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北川 雅俊

北川 雅俊 について

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永富 隆清

永富 隆清 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301555
公開番号（公開出願番号）：特開2005-071858
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】MgO保護層などの絶縁膜について、その放電特性などを評価するのに適した情報を簡単且つ適確に得ることのできる測定装置、測定方法ならびに評価装置を提供する。【解決手段】 真空容器110内を高真空(例えば1×10-7Pa)になるまで排気する。電圧印加部121を作動させて測定試料に所定の負電圧(-25V〜-55V)を印加する。 この状態で、電子銃130或はイオン銃140を作動させて電子或は不活性ガスの正イオンを測定試料のMgO膜表面に照射すると共に、電子分光器150で、その放出された二次電子のエネルギー分布を測定し、測定した二次電子スペクトルのデータを解析装置200に送る。 解析装置200は、電子分光器150から二次電子スペクトルのデータを受け取り、当該データを解析することによって、測定試料の性質を評価するための情報(評価値)を求める。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁膜の性能を評価するのに用いる測定装置であって、 前記絶縁膜にイオンを照射するイオン照射手段と、 イオン照射中に、前記絶縁膜から放出される二次電子のスペクトルを測定するスペクトル測定手段とを備えることを特徴とする絶縁膜測定装置。
IPC (5件)：
H01J9/42 ,  G01N23/225 ,  H01J9/02 ,  H01J11/02 ,  H01J37/252
FI (5件)：
H01J9/42 A ,  G01N23/225 ,  H01J9/02 F ,  H01J11/02 B ,  H01J37/252 Z
Fターム (28件)：
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001GA03 ,  2G001GA09 ,  2G001KA12 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA07 ,  5C012AA09 ,  5C012BE01 ,  5C027AA05 ,  5C027AA10 ,  5C033RR02 ,  5C033RR04 ,  5C040FA01 ,  5C040FA04 ,  5C040GD09 ,  5C040GD10 ,  5C040GE01 ,  5C040JA26 ,  5C040JA31 ,  5C040MA10 ,  5C040MA22 ,  5C040MA23
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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