特許
J-GLOBAL ID：200903002242039236

窒化物半導体電界効果トランジスタ構造

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
松尾 尚慶

松尾 尚慶 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-070479
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250721
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】窒化物化合物半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、Si基板上にて高移動度を有するようにする。【解決手段】Si(111)基板上にAlNバッファ層を80nm、中間層Al0.26Ga0.74Nを40nm、AlN/GaN周期構造、アンドープGaN層0.9μm、薄膜AlNスペーサ層1.5nm、アンドープAlGaN電子供給層25nmをエピタキシャル成長する。AlN/GaN多層構造のAlN、GaNの膜厚はそれぞれ5nm、20nmとしペア数は21ペア以上70ペア以下としている。さらにAlGaN電子供給層のAl組成を24%以下とすることで、最大1610cm2/Vsecの移動度を実現できる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
Si基板上にアンドープGaN及びAlxGa1-xN(0<x≦1)がこの順に形成されており、この2層の間に2次元電子ガスが形成されチャネルとなる構造において、前記AlxGa1-xNのAl組成xが24%以下であることを特徴とする、窒化物半導体電界効果トランジスタ構造。
IPC (3件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (13件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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