特許
J-GLOBAL ID：200903048803934825

半導体積層構造、半導体素子およびHEMT素子

発明者：
三好 実人

三好 実人 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145296
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032911
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】高いシートキャリア濃度を維持しつつ高い電子移動度が実現された半導体素子等を提供する。【解決手段】基板3の上に少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地層4を設けた上で、III族窒化物、好ましくはGaNからなる第1半導体層5と、AlNからなる第2半導体層6と、少なくともAlを含むIII族窒化物、好ましくはAlxGa1-xNであってx≧0.2である第3半導体層7が積層されてなる半導体層群を形成することにより、格子欠陥や結晶格子の不規則性などに起因した電子移動度の低下が抑制され、15Kにおいて1×1013/cm2以上のシートキャリア濃度と20000cm2/V・s以上の電子移動度とを有するHEMT素子が実現される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の基材と、 前記基材上に形成された下地層と、 前記下地層上に形成された半導体層群と、 を備える半導体積層構造であって、 前記半導体層群は、 第1のIII族窒化物からなる第1の半導体層と、 AlNからなる第2の半導体層と、 少なくともAlを含む第3のIII族窒化物からなる第3の半導体層と、 がこの順に前記下地層の側から積層されてなり、 前記下地層は、 少なくともAlを含み、かつ、全III族元素に対するAlのモル分率が前記第1のIII族窒化物よりも大きい第4のIII族窒化物からなり、 かつ、 15Kにおいて5×1012/cm2以上のシートキャリア濃度を有するとともに、20000cm2/V・s以上の電子移動度を有することを特徴とする半導体積層構造。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (43件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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