X線マスクの製造方法およびその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236801
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059193
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】エッチング中のプラズマからの発光を分光し、エッチング反応に関わる化学種の発光強度の変化を感度よくモニターすることで、エッチング面積が微少な場合でも、エッチングの開始点、終点を高精度に検出し、X線マスクの作製プロセスにおけるエッチングの再現性を高め、高精度のパターン形成を実現するX線マスクの製造方法と装置を提供する。【解決手段】エッチング室におけるプラズマの発光強度をモニターする受光手段を配置し、プラズマ中の化学種の発光を分光して検出し、プラズマ中の化学種の発光強度の信号に設定の演算処理を施してエッチングの始点と終点を判定する工程と、エッチングの開始または終了点より所定の時間経過後、エッチング条件を変更する工程もしくはエッチングを停止する工程を少なくとも含むX線マスクの製造方法および装置とする。

請求項（抜粋）：

プラズマによるエッチング装置を用いてX線マスクを製造する方法において、上記エッチング装置のエッチング室におけるプラズマの発光強度をモニターする受光手段を配置し、上記プラズマ中の化学種の発光を分光して発光強度信号を検出する工程と、該プラズマ中の化学種の発光強度信号に設定の演算処理を施すことによりエッチングの始点と終点を判定する工程と、上記エッチングの開始または終了点より所定の時間経過後、エッチング条件を変更する工程、もしくはエッチングを停止する工程を少なくとも含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。

IPC (4件)：

C23F 4/00 , G03F 1/16 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (4件)：

C23F 4/00 F , G03F 1/16 A , H01L 21/30 531 M , H01L 21/302 E

Fターム (25件)：

2H095BA10 , 2H095BB10 , 2H095BB17 , 2H095BB18 , 2H095BB31 , 2H095BC01 , 4K057DA14 , 4K057DB08 , 4K057DD04 , 4K057DE01 , 4K057DJ03 , 4K057DM29 , 4K057DM40 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BB14 , 5F004BD03 , 5F004CB02 , 5F004CB15 , 5F004DA04 , 5F004DB08 , 5F046GD01 , 5F046GD12 , 5F046GD15 , 5F046GD17

引用特許：

審査官引用 (3件)

X線マスクブランク及びその製造方法並びにX線マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-034353 出願人：ホーヤ株式会社
プラズマエッチャーのエンドポイント検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-109682 出願人：オリンパス光学工業株式会社
金属膜のエッチング方法及びそのエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072744 出願人：株式会社芝浦製作所

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