特許

J-GLOBAL ID：200903002306536913

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 克己 ,  中田 義弘 ,  矢野 映
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243384
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、エッチングした場合の表面ラフネスの解消、エッチング停止層などの加工性の向上、多孔質膜の保護効果の向上を目的とし、半導体装置に於ける絶縁膜として低密度膜と高密度膜との積層膜を用い、しかも、その低密度膜と高密度膜とからなる積層膜を同一装置内で実現できるようにする。【解決手段】 半導体基板1上に低密度絶縁膜2となる低密度絶縁膜材料を塗布してからプリベークを行い、低密度絶縁膜2上に高密度絶縁膜となる高密度絶縁膜材料を塗布してからプリベークを行って積層膜とする工程と、その後、積層膜を一括してキュアすることで多層構造体とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に低密度絶縁膜となる低密度絶縁膜材料を塗布してからプリベークを行い、次いで、低密度絶縁膜上に高密度絶縁膜となる高密度絶縁膜材料を塗布してからプリベークを行って積層膜とする工程と、その後、積層膜を一括してキュアすることで多層構造体とする工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 M ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 S

Fターム (32件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ULSI用途のためにシロキサンポリマーで処理されたナノポーラスシリカ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-519479   出願人：アライドシグナルインコーポレイテッド
• 被覆形成用塗布液及び被覆膜及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-351045   出願人：富士通株式会社
• 等級化された密度を有するナノポーラス誘電体フィルム及びそのようなフィルムの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-543964   出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド

審査官引用 (3件)

• ULSI用途のためにシロキサンポリマーで処理されたナノポーラスシリカ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-519479   出願人：アライドシグナルインコーポレイテッド
• 被覆形成用塗布液及び被覆膜及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-351045   出願人：富士通株式会社
• 等級化された密度を有するナノポーラス誘電体フィルム及びそのようなフィルムの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-543964   出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド