特許
J-GLOBAL ID：200903002416805693
テラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-138572
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322733
出願日： 2004年05月07日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】単純な構造で、超小型で、パルス波、連続波の発生やレーザ発振も可能であり、発生したテラヘルツ波の集中や発散などの光学系を有するテラヘルツ波発生ダイオードを提供すると共に、このダイオードと駆動回路などを備えたテラヘルツ波放射装置を提供する。【解決手段】半導体基板に、少なくとも1つのpn接合と、このpn接合を構成するp型またはn型の導電型のうちの少なくとも一方の導電型領域には活性領域を備え、この活性領域には、この導電型を形成するための不純物Aと、他方の導電型になる不純物Bを前記不純物Aよりも少なく、かつ縮退しない程度に添加してあり、pn接合に順方向バイアスを印加したときに、活性領域に注入された少数キャリアが不純物Bの不純物準位を介して再結合するときに放射する電磁波がテラヘルツ域になるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に、少なくとも1つのpn接合と、このpn接合を構成するp型またはn型の導電型のうちの少なくとも一方の導電型領域には活性領域を備え、この活性領域には、この導電型を形成するための不純物Aと、他方の導電型になる不純物Bを前記不純物Aよりも少なく、かつ縮退しない程度に添加してあり、前記pn接合に順方向バイアスを印加したときに、前記活性領域に注入された少数キャリアが不純物Bの不純物準位を介して再結合するときに放射する電磁波がテラヘルツ域になるようにしたことを特徴とするテラヘルツ波発生ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5F173AB13
, 5F173AC05
, 5F173AC15
, 5F173AF15
, 5F173AH40
, 5F173AR99
出願人引用 (6件)
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テラヘルツ波発生装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-261740
出願人：浜松ホトニクス株式会社
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テラヘルツ光発生装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-175036
出願人：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン
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固体光源装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-341797
出願人：三菱電機株式会社
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審査官引用 (1件)
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