特許
J-GLOBAL ID：200903002461863548

半導体基板の洗浄方法及びこれに用いられる洗浄装置

発明者：
臼田 宏治

臼田 宏治 について

, 
杉山 直治

杉山 直治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147323
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139371
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 より簡易で安全で効果的な半導体基板表面の清浄方法を得る。【解決手段】 最終洗浄工程において、i)純水、または純水と酸あるいはアルカリとの混合溶液に、還元性を付与する気体を10-6ないし100%含む気体成分を0.1気圧以上で接触させて洗浄を行なうか、もしくはii)純水、または純水と酸あるいはアルカリとの混合溶液を電気分解して得られた酸化還元電位が負であり、かつpH7ないし13である陰極水のうち、その溶存酸素量を制御して洗浄を行なうか、あるいはiii)この陰極水を用いて還元性を付与する気体10-6ないし100%を含む1気圧の不活性ガス雰囲気下で洗浄を行なう。
請求項（抜粋）：
酸化膜被覆された半導体基板表面を部分的に露出して形成されたベアパターンを、純水と、酸及び純水の混合溶液と、アルカリ及び純水の混合溶液とからなる群から選択される少なくとも1つの洗浄溶液を用いて表面処理する工程を有する半導体基板の洗浄方法において、前記表面処理工程中の最終洗浄工程は、前記洗浄溶液を電気分解することにより得られた溶液のうち、酸化還元電位が負であり、かつpH7ないし13である陰極水を、溶存酸素濃度300ppb以下に維持して用いることにより行なわれることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM