特許
J-GLOBAL ID：200903002520478840

半導体発光素子の製造方法

発明者：
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-380818
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109524
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 p側クラッド層の厚さを良好な光学特性を得るのに必要な値に保持しつつ、動作電圧を低減することができる半導体発光素子を実現する。 【解決手段】 n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層7がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有し、p側クラッド層が活性層7側から順にアンドープまたはn型の第1の層9とp型不純物がドープされたp型の第2の層16とからなり、かつ、第2の層16がこの第2の層16よりバンドギャップが大きい第3の層15を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法において、活性層7から第3の層15までの成長を、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有し、上記p側クラッド層が上記活性層側から順にアンドープまたはn型の第1の層とp型不純物がドープされたp型の第2の層とからなり、かつ、上記第2の層がこの第2の層よりバンドギャップが大きい第3の層を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層から上記第3の層までの成長を、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で行うようにした ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/22 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01S5/22 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
Fターム (25件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AF25 ,  5F173AF96 ,  5F173AG12 ,  5F173AG18 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AP13 ,  5F173AP14 ,  5F173AP19 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR64
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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