特許
J-GLOBAL ID：200903038051933985

窒化物半導体層の選択成長方法

発明者：
木村 明隆

木村 明隆 について

, 
小林 隆二

小林 隆二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227784
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058461
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来の選択成長法に従って一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦X≦1、0≦Y≦1) で表される窒化物半導体層を選択成長させると、マスク上に多結晶が析出するという問題があった。本発明は、マスク上の結晶成長を抑制した、アルミニウムを含む窒化物半導体層の選択成長方法を提供する。【解決手段】 本方法では、開口パターンを有するマスク104を使って、一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦X≦1、0≦Y≦1)で表される窒化物半導体層105をマスクの開口部に露出する下地層103上に選択成長させる際、基板温度を600°C以上800°C以下の範囲の温度にする。好適には、アンモニアに比べ低温での分解効率が良いヒドラジンまたはその誘導体をV族原料として用いる。
請求項（抜粋）：
開口パターンを有するマスクを使って、一般式Inx AlyGa1-x-y N(0≦X≦1、0≦Y≦1)で表される窒化物半導体層をマスクの開口部に露出する下地層上に選択成長させる際、基板温度を600°C以上800°C以下の範囲の温度にすることを特徴とする窒化物半導体層の選択成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Fターム (51件)：
4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA12 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045DB01 ,  5F045DB02 ,  5F045HA02 ,  5F045HA03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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