特許
J-GLOBAL ID:200903002529578197
半導体基板の洗浄液及びこれを使用する洗浄方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
八田 幹雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-027792
公開番号(公開出願番号):特開平9-246221
出願日: 1997年02月12日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板の洗浄液及びこれを使用する洗浄方法を提供する。【解決手段】 HF溶液、H2 O2 溶液、IPA及び脱イオン水が所定の体積比で混合された洗浄液を提供し、前記洗浄液が盛られた第1液槽にウェーハを浸けて洗浄する段階と、前記洗浄されたウェーハを脱イオン水が盛られた第2液槽に浸けて前記洗浄されたウェーハの表面に残存する洗浄液を除去する段階と、前記洗浄液が除去されたウェーハを脱イオン水が盛られた第3液槽に浸けて前記洗浄液が除去されたウェーハの表面に残存する残留物を除去する段階と、前記残留物が除去されたウェーハを回転させ、その表面に残存する脱イオン水を除去する段階とを含む。
請求項(抜粋):
HF溶液、H2 O2 溶液、IPA及び脱イオン水の混合溶液で構成されたことを特徴とする半導体基板の洗浄液。
引用特許: