特許

J-GLOBAL ID：200903002558464745

SiCダミーウエハ

発明者： 斉藤 誠 ,  藤田 房雄
出願人/特許権者： 三井造船株式会社 ,  株式会社アドマップ
代理人 (1件)： 村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286131
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116757
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 交換頻度を減少できるようにする。【解決手段】 半導体ウエハとともにウエハボートに配置するダミーウエハをSiCによって形成するとともに、その表面粗さRa を0.01μm以上にした。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハとともにウエハボートに配置するSiCからなるダミーウエハであって、表面粗さRa が0.01μm以上であることを特徴とするSiCダミーウエハ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231469   出願人：株式会社ブリヂストン
• 半導体用部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173565   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-340993   出願人：東洋炭素株式会社
• 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-340994   出願人：東洋炭素株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• CVD-SiC単体ダミーウェハー
• CVD-SiC単体ダミーウェハー