特許
J-GLOBAL ID：200903002603016880
半導体デバイス用薄膜Cu(In,Ga)Se▲下2▼のセレン化再結晶方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾股 行雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-508088
公開番号（公開出願番号）：特表平9-506475
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】半導体デバイス用のややCuプアなCu(In,Ga)Se2の薄膜を基材12上に製造する方法であって、先ずややCuリッチなCu(In,Ga)Se2:CuxSeからなる相分離された混合物を固体状で基材12上に生成し、次いでこのCu(In,Ga)Se2:CuxSe固体混合物を過圧したSe蒸気と(In,Ga)蒸気に曝してCu(In,Ga)Se2:CuxSe固体混合物上に蒸着させ、同時にこの固体混合物の温度を再結晶化温度(約550°C)に昇温させる。この温度ではCu(In,Ga)Se2は固体でCuxSeは液体である。(In,Ga)フラックスを終了させ、一方、過圧Seフラックスと再結晶化温度は維持して、温度移行の間に蒸着した(In,Ga)およびSe蒸気とCuxSeとを再結晶化し、ややCuプアなCux(In,Ga)ySezの薄膜を生成させる。最初のCuリッチな相分離されたCu(In,Ga)Se2:CuxSeの大結晶粒混合物は、基材12上に室温で金属前駆物質のCuおよび(In,Ga)を順次析出または共析出させ、この薄膜温度を過圧Seの存在で中温度のアニール温度(約450°C)に昇温し、アニーリングの間この温度と過圧Seを維持することにより得られる。セレン化する中温度のこのアニールの前に、セレン化しない約100°Cでの低温アニールを用いることにより、基材上の前駆物質を均質化することもできる。
請求項（抜粋）：
Cuおよび(In,Ga)からなる薄膜前駆物質をCu/(In,Ga)>1.0のCuリッチになるように基材上に析出させる工程; 前記薄膜前駆物質をSeの存在下で400〜500°Cの範囲の中温度でアニーリングして、薄膜Cu(In,Ga)Se<SB>2</SB>:Cu<SB>x</SB>Seの相分離された混合物を生成する工程; 前記薄膜Cu(In,Ga)Se<SB>2</SB>:Cu<SB>x</SB>Seの相分離された混合物の温度を前記中温度から500〜600°Cの範囲の比較的高温度に昇温しながら、前記薄膜Cu(In,Ga)Se<SB>2</SB>:Cu<SB>x</SB>Seの相分離された混合物を(In,Ga)蒸気さらにはSeに曝して前記薄膜Cu(In,Ga)Se<SB>2</SB>:Cu<SB>x</SB>Seの相分離された混合物の上に(In,Ga)およびSeを蒸着させる工程; 前記薄膜を前記比較的高温の再結晶温度に維持して前記Cu<SB>x</SB>Seを(In,Ga)およびSeと共に再結晶させ、Cu/(In,Ga)<1.0のCuプアなCu(In,Ga)Se<SB>2</SB> 薄膜を生成させる工程 からなる薄膜半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 31/04
H01L 21/20
, H01L 21/203 Z
, H01L 31/04 E
