半導体基板の平面研削・研磨装置および研削・研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-267707
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086240
出願日： 2004年09月15日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】フットプリント面積に対する半導体基板のスル-プットが縮減できる半導体基板の平面研削・研磨装置の提供。【解決手段】ロ-ド/アンロ-ドステ-ジ17、粗研削ステ-ジ18、仕上研削ステ-ジ20および研磨ステ-ジ22を構成する一対の真空チャックHa,Hb8組み32,32,36,36,38,38,40,40を同心円34b上に備えるインデックス回転テ-ブル34に半導体基板を載せ、1台の研削砥石で同時に2枚の半導体基板を研削加工するに真空チャックHa,Hbのスピンドル軸36cを傾斜させて研削加工を行い、研磨加工時は、研磨パッド56の平面と半導体基板の裏面が平行となるように真空チャックのスピンドルを傾斜させないで研磨を行う。砥石の切刃が半導体基板面に摺擦する面積が小さいので、基板の焼けが防止される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カセット収納ステ-ジ14、左右に移動可能な天井吊り搬送用ロボット30、基板アライメントステ-ジ16、基板洗浄ステ-ジ24、パッドを支持するア-ム81aが左右に移動可能なロ-ディング吸着パッド81、パッドを支持するア-ム82aが左右に移動可能なアンロ-ディング吸着パッド82、ロ-ド/アンロ-ドステ-ジ17、粗研削ステ-ジ18、仕上研削ステ-ジ20および研磨ステ-ジ22に区画した一台のインデックス回転テ-ブル34、前記ロ-ド/アンロ-ドステ-ジ17、粗研削ステ-ジ18、仕上研削ステ-ジ20および研磨ステ-ジ22を構成する位置へ一対の真空チャックHa,Hbを備えるホルダ-テ-ブル8組み32,32,36,36,38,38,40,40を前記インデックス回転テ-ブル34の軸心に対し同一円周上に等間隔で配設した基板真空チャック機構32,32,36,36,38,38,40,40、前記真空チャックHa,Hb8組みのスピンドル軸を半導体基板裏面の垂直面に対し傾斜可能な傾斜調整機構90、スピンドル軸傾斜コントロ-ラ91、前記ホルダ-テ-ブル32,32,36,36,38,38,40,40を構成する真空チャックHa,Hbのテ-ブル直径の2.0〜2.6倍寸法の直径を有する粗研削カップホイ-ル型ダイヤモンド砥石46および仕上研削カップホイ-ル型ダイヤモンド砥石54、および、前記真空チャックHa,Hb上に保持された半導体基板裏面を半導体基板の半径の1.25〜1.50倍の直径を有する研磨パッド56,56一対を左右方向に揺動させながら摺擦する研磨手段、とを備える基板の平面研削・研磨装置10。

IPC (2件)：

H01L 21/304 , B24B 7/22

FI (5件)：

H01L21/304 631 , H01L21/304 621C , H01L21/304 622H , H01L21/304 622Q , B24B7/22 Z

Fターム (4件)：

3C043BB00 , 3C043CC04 , 3C043CC12 , 3C043DD05

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭60-76959号公報
平面加工装置及び平面加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-321432 出願人：株式会社東京精密
研削/研磨方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-127400 出願人：株式会社岡本工作機械製作所

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