ダイヤモンド層の形成方法と、それを利用する多層硬質炭素膜の形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：松田忠秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299000
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111908
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】高品質の多層硬質炭素膜を被処理物体の表面に形成する。【解決手段】被処理物体の表面に中間層を形成する第1工程と、炭化水素と水素とを真空槽に導入して中間層上にナノダイヤモンド層を形成する第2工程と、水素を真空槽に導入し、ナノダイヤモンド層をダイヤモンド層に成長させる第3工程と、ダイヤモンド層上にダイヤモンドライクカーボン層を形成する第4工程とを繰り返し実行する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空槽に収容する被処理物体の表面に中間層を形成する第1工程と、炭化水素と水素とを真空槽に導入して中間層上にナノダイヤモンド層を形成する第2工程と、水素を真空槽に導入し、ナノダイヤモンド層をダイヤモンド層に成長させる第3工程とからなるダイヤモンド層の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/27 , C23C 16/511 , C23C 30/00

FI (3件)：

C23C16/27 , C23C16/511 , C23C30/00 C

Fターム (12件)：

4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030BB12 , 4K030FA02 , 4K030KA20 , 4K044BA18 , 4K044BB03 , 4K044BC01 , 4K044BC06 , 4K044BC09 , 4K044CA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

多層硬質炭素膜の形成方法と、その装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-353188 出願人：株式会社オンワード技研, 粟津薫, 作道訓之, 東芝タンガロイ株式会社

審査官引用 (4件)

多結晶性ダイヤモンド薄膜及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094708 出願人：ソニー株式会社
多層硬質炭素膜の形成方法と、その装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-353188 出願人：株式会社オンワード技研, 粟津薫, 作道訓之, 東芝タンガロイ株式会社
特開平4-232273

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