貼り合わせウェーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151016
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347176
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】イオン注入剥離法による貼り合わせウェーハの剥離後のダメージや表面粗さを低減させ、その後の平坦化処理を容易に行うことができ、ひいては、貼り合わせウェーハの製造工程を簡略化することができる貼り合わせウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、イオン注入工程(c)と、ウェーハ密着工程(d)と、剥離熱処理工程(e)とを含む貼り合わせウェーハの製造方法において、前記剥離熱処理を、急速加熱・急速冷却装置を用いて5°C/秒以上の昇温速度で行なう条件と、前記密着させたウェーハを横向き方向に配置して行なう条件のうち、少なくとも一方の条件で行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する工程と、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して密着させる工程と、該密着させたウェーハに熱処理を行なうことにより、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させて貼り合わせウェーハを形成する工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハを剥離させる熱処理を、急速加熱・急速冷却装置を用いて5°C/秒以上の昇温速度で行なう条件と、前記密着させたウェーハを横向き方向に配置して行なう条件のうち、少なくとも一方の条件で行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , H01L 21/26 , H01L 21/762 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H01L 21/76 D , H01L 21/26 F

Fターム (7件)：

5F032AA06 , 5F032AA91 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F032DA74

引用特許：

審査官引用 (6件)

ウェーハ積載のための垂直型ファーネス用のボート
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-312414 出願人：三星電子株式会社
半導体基板及び半導体基板の製造方法並びに半導体基板製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-099989 出願人：株式会社デンソー
半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-132985 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

'Raman and photoluminescence investigations of the H+ ion implanted silicon-on-insulator structure f

前のページに戻る