シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：早川政名 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345435
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】比較的簡便な方法により研磨ダレ(周辺ダレ)の少ない鏡面研磨ウェーハを作製する方法、及び外周除去領域がないか低減したSOI層またはボンド層を有する貼り合わせウェーハの製造方法並びにその貼り合わせウェーハを提供する。【解決手段】シリコンウェーハの表面側の面取り幅をX1とし、裏面側の面取り幅をX2とするとき、X1<X2である面取り部を有するシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハの表面を鏡面研磨した後、表面側の面取り幅がX3(X3>X1)になるように再度面取り加工する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハの表面側の面取り幅をX1とし、裏面側の面取り幅をX2とするとき、X1<X2である面取り部を有するシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハの表面を鏡面研磨した後、表面側の面取り幅がX3(X3>X1)になるように面取り加工することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , B24B 9/00 601 , H01L 21/02 , H01L 21/304 621

FI (4件)：

H01L 27/12 B , B24B 9/00 601 H , H01L 21/02 B , H01L 21/304 621 D

引用特許：

審査官引用 (30件)

半導体ウエハー
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-037978 出願人：株式会社ジャパンエナジー
貼り合わせシリコンウエーハの接着方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017155 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052765 出願人：富士電機株式会社

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