特許
J-GLOBAL ID:200903002732542572
多孔質セラミック材及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-167574
公開番号(公開出願番号):特開2004-008971
出願日: 2002年06月07日
公開日(公表日): 2004年01月15日
要約:
【課題】微細孔に富み、例えば600°C以上の高温条件下においても水素を選択的に分離し得るセラミック膜を備えた多孔質セラミック材、及びそのような多孔質セラミック材を製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明によって提供される一つの多孔質セラミック材は、多孔質セラミック体の表面部の少なくとも一部にセラミック膜形成用の前駆体を付与し、その前駆体を加熱して該セラミック体の表面部にガス透過可能な微細孔を有するSi及びN主体のセラミック膜を形成し、そのセラミック膜を不活性ガス雰囲気中でプラズマ処理し、当該プラズマ処理されたセラミック膜の表面部に再度前駆体を付与し、当該付与された前駆体を加熱して前記セラミック体の表面部にガス透過可能な微細孔を有するセラミック膜を積層することによって得られる。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
以下の工程:
(a)多孔質セラミック体を用意する工程;
(b)前記多孔質セラミック体の表面部を活性化処理する工程;
(c)前記活性化処理された表面部の少なくとも一部に、Si及びNを主体とするセラミック膜を形成するための前駆体を付与する工程;および
(d)その前駆体を加熱して、前記セラミック体の表面部に、ガス透過可能な微細孔を有するSi及びN主体のセラミック膜を形成する工程;
を包含する、前記多孔質セラミック体の表面部の少なくとも一部にガス透過可能な微細孔に富むSi及びN主体のセラミック膜が形成された多孔質セラミック材の製造方法。
IPC (7件):
B01D71/02
, B01D53/22
, B01D63/06
, B01D69/10
, C04B35/64
, C04B38/00
, C04B41/87
FI (8件):
B01D71/02 500
, B01D53/22
, B01D63/06
, B01D69/10
, C04B38/00 303Z
, C04B38/00 304Z
, C04B41/87 A
, C04B35/64 A
Fターム (27件):
4D006GA41
, 4D006HA24
, 4D006JA18A
, 4D006JA22C
, 4D006KA01
, 4D006KB30
, 4D006MA02
, 4D006MA06
, 4D006MA22
, 4D006MA24
, 4D006MA31
, 4D006MB04
, 4D006MB06
, 4D006MB15
, 4D006MC03X
, 4D006NA46
, 4D006NA51
, 4D006NA61
, 4D006NA63
, 4D006NA73
, 4D006PA03
, 4D006PB18
, 4D006PB66
, 4D006PC80
, 4G019FA11
, 4G019FA15
, 4G019GA04
引用特許:
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