特許
J-GLOBAL ID：200903002740348645

半導体装置の製造方法

発明者：
地割 信浩

地割 信浩 について

, 
今井 伸一

今井 伸一 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319086
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135630
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 成膜工程が複雑にならないと共に地球温暖化を招くことなく、フッ素含有有機膜を堆積できるようにする。【解決手段】 半導体基板100の上に、第1のシリコン酸化膜101、金属膜102及び第2のシリコン酸化膜103を順次形成した後、レジストパターン104をマスクとし且つC5F8ガスを主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチングを行なって、第2のシリコン酸化膜103からなるハードマスク105を形成する。ハードマスク105をマスクとして金属膜102に対してドライエッチングを行なって金属配線106を形成した後、C5F8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、金属配線106同士の間及び上面にフッ素含有有機膜からなる層間絶縁膜107を堆積する。
請求項（抜粋）：
C5F8、C3F6又はC4F6を主成分として含む原料ガスを用いて、半導体基板上に比誘電率が4以下であるフッ素含有有機膜を堆積する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (8件)：
H01L 21/312 A ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 C
Fターム (56件)：
4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104HH09 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BC02 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EB03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR24 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB39 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045CB05 ,  5F045DC55 ,  5F045DC63 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EH14 ,  5F045HA23 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AF02 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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