特許
J-GLOBAL ID:200903002763638551

電子放出素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 和秀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-160558
公開番号(公開出願番号):特開2004-362960
出願日: 2003年06月05日
公開日(公表日): 2004年12月24日
要約:
【課題】FED(Field Emission Display)などに好適な均一でかつ高い電子放出サイト密度をもつ電子放出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属基板1上に、数μm程度のサイズのグラファイトの超微粒子2を配置し、この超微粒子2上に、DCバイアス熱CVD法によって、微小線状物としてのカーボンナノチューブ4を選択に成長させ、カーボンナノチューブ4を電子放出サイトとする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上またはワイヤ上に所要の配置で電子伝導性を有する微小線状物を形成してなる電子放出素子。
IPC (5件):
H01J1/304 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04
FI (5件):
H01J1/30 F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 B ,  H01J29/04
Fターム (20件):
5C031DD17 ,  5C127AA01 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127BB15 ,  5C127CC03 ,  5C127DD09 ,  5C127DD12 ,  5C127EE03 ,  5C127EE20 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB15 ,  5C135AC02 ,  5C135AC07 ,  5C135GG12 ,  5C135HH03 ,  5C135HH15
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
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