特許
J-GLOBAL ID：200903013015394986
電界放出表示素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321094
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167721
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 垂直配向された炭素ナノチューブを用いた電界放出表示素子を提供する。【解決手段】 下部基板30上にカソード電極用金属膜32が形成され、金属膜32上には垂直配向されたエミッタチップ用炭素ナノチューブ34が形成されている。金属膜32上にはスペーサ36が設けられており、スペーサ36上にはその表面に透明電極52及び蛍光体54が付着された上部基板50が付着されている。電界放出表示素子は、2電極構造という簡単な構造となっているので製造収率を高めることができ、かつ大面積の製造が可能である。また、エミッタ用チップとして垂直配向された炭素ナノチューブを用いるので、低い動作電圧下でも大きい放出電流を得ることができる。
請求項（抜粋）：
下部基板上に形成されたカソード電極用金属膜と、前記金属膜上に垂直配向されたエミッタチップ用炭素ナノチューブと、前記金属膜上に設けられたスペーサと、前記スペーサ上に設けられ、その表面に透明電極及び蛍光体が付着された上部基板と、を備えることを特徴とする電界放出表示素子。
IPC (5件)：
H01J 31/12
, C01B 31/02 101
, C23C 16/26
, H01J 9/02
, H01J 29/04
H01J 31/12 C
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26
, H01J 9/02 B
, H01J 29/04
