特許
J-GLOBAL ID：200903002814413746

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
工藤 真二

工藤 真二 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (2件)： 木村 満 ,  毛受 隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254069
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073710
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 リサーフ構造を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 n型半導体領域1及びn-型半導体領域2aが形成された半導体基板100に、熱拡散法によってp型不純物を所定の深さまで拡散させ、n-型半導体領域2及びp型半導体領域3aを形成する。そして、p型半導体領域3aを所定の厚さだけ研磨することにより、p型半導体領域3を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された第1導電型の第1の半導体領域の一方の主面、または、所定の表面領域に第2導電型の不純物を拡散させる不純物拡散工程と、 前記第2導電型の不純物を拡散させた半導体基板を前記第1の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨し、リサーフ層として機能する第2導電型の第2の半導体領域を形成する第2の半導体領域形成工程と、 を備える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L29/91 B ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/91 D
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-184675   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
審査官引用 (6件)
  • 高耐圧半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-117145   出願人：株式会社東芝
  • 高耐圧半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭55-068672
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