特許
J-GLOBAL ID：200903002823082400
スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219853
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059170
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においても、ターゲット表面に発生するノジュール量を低減でき、また、パーティクル発生量の抑制したスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 ターゲット部材1を平板状のバッキングプレート3に接合剤2により接合したスパッタリングターゲットにおいて、焼結体の接合面の周囲の一部あるいは全周に渡って、0.5〜3mmの接合剤が存在しない部分を設けたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
ターゲット部材を平板状のバッキングプレートに接合剤により接合したスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット部材とバッキングプレートとの接合面の周囲の一部あるいは全周に渡って、接合剤が存在しない部分を設けたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C 14/34 C
, C23C 14/34 A
, C04B 35/00 R
