ナノ構造メモリ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116106
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】それぞれのメモリ素子が間隔をおいて配置されたソースおよびドレイン領域と、チャネルと、障壁絶縁層と、1つまたは複数のナノクリスタルと、制御障壁装置、ゲート電極とを有するメモリ素子、ならびにこのメモリ素子を複数個組み込んだメモリを提供する。【解決手段】量子ドットにすることができるナノクリスタルは、室温で1つの電子または正孔あるいは離散数の電子または正孔を蓄積し、蓄積した電子または正孔が変化するたびに熱電圧を上回るしきい電圧シフトを提供する。本発明は、蓄積した電荷を感知するために経路内のクーロン遮断制御伝導を回避しながら、1つまたは複数の蓄積電子または正孔をチャネルに静電結合する際にクーロン遮断を利用する。

請求項（抜粋）：

データを示すk個(kは0またはそれ以上の整数)の電子または正孔を蓄積するためのメモリ・セルにおいて、半導体チャネルと、前記半導体チャネル上に形成された第1の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層上に形成され、電気的に浮遊し、クーロン遮断により前記半導体チャネルに静電結合される第1のナノクリスタルと、前記第1のナノクリスタルの上の第2の絶縁体層と、前記第2の絶縁体層上に形成されたゲート電極とを含むメモリ・セル。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特公昭55-032235
特公昭55-050394
特開昭62-023173

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