特許
J-GLOBAL ID：200903002900743295
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222168
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053390
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 内部電流狭窄構造を有する半導体レーザ装置において、等価屈折率段差を向上させ、高い出力まで基本横モード発振を得る。【解決手段】 n型GaAs基板11上にn-In0.49Ga0.51P下部クラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3圧縮歪量子井戸活性層14、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層15、p-In0.49Ga0.51P上部第一クラッド層16、n-あるいはp-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1エッチング阻止層17、n-In0.49Ga0.51P電流狭窄層18を1μm、n-GaAsキャップ層19を10nm積層する。この上にSiO2膜20を形成し、3μm程度の幅のストライプ領域のSiO2膜20を除去し、GaAsキャップ層19、n-In0.49Ga0.51P電流狭窄層18をエッチングした後、SiO2膜20を除去し、n-GaAsキャップ層と溝の底面のInx1Ga1-x1As1-y1Py1エッチング阻止層17を除去する。p-Inx4Ga1-x4As1-y4Py4上部第二クラッド層21、p-GaAsコンタクト層22を形成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaAs基板上に、第一導電型下部クラッド層、下部光導波層、組成比が0<x3≦0.4および0≦y3≦0.1であるIn<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>圧縮歪量子井戸活性層、上部光導波層、第二導電型In<SB>0.49</SB>Ga<SB>0.51</SB>P上部第一クラッド層、電流注入窓となるストライプ状の部分が除去された、組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1≦0.6であるIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>エッチング阻止層、電流注入窓となるストライプ状の部分が除去された、第一導電型In<SB>0.49</SB>Ga<SB>0.51</SB>P電流狭窄層がこの順に積層された結晶層の上に、組成比がx4=(0.49±0.01)y4および0.4≦x4≦0.46である第二導電型In<SB>x4</SB>Ga<SB>1-x4</SB>As<SB>1-y4</SB>P<SB>y4</SB>上部第二クラッド層および第二導電型コンタクト層がこの順に積層されてなり、前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対値が0.25nm以下であり、前記エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値が0.25nm以下であり、前記圧縮歪量子井戸活性層および前記エッチング阻止層以外の全ての層が、前記第一導電型GaAs基板と格子整合する組成であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (4件)：
H01S 5/343
, H01L 21/205
, H01L 21/306
, H01S 5/223
H01S 5/343
, H01L 21/205
, H01S 5/223
, H01L 21/306 B
5F043AA03
, 5F043AA04
, 5F043AA20
, 5F043BB07
, 5F043BB08
, 5F043CC20
, 5F043DD24
, 5F043FF01
, 5F043FF03
, 5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA64
, 5F045DC62
, 5F045HA14
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA24
, 5F073EA29
