特許
J-GLOBAL ID：200903018312461538
光半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285472
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135560
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】混晶を電流ブロック層とするSAS構造光半導体装置の製造方法において、実効活性層幅の制御性、均一性、再現性を向上させる。Alを含む混晶ブロック層の酸化を防止したSAS構造光半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に第1導電型のクラッド層、活性層、光ガイド層を順次成長し、成長阻止マスクを形成した光ガイド層上にアルミニウムを含む化合物半導体結晶からなる電流ブロック層とアルミニウムを含まない電流ブロック層酸化保護層を選択成長し、成長阻止マスク除去後、電流ブロック層と保護層上に第2導電型のクラッド層を成長する工程を経て、SAS構造光半導体装置を形成する。
請求項（抜粋）：
活性層に注入する電流を狭窄する電流ブロック層を有する光半導体装置の製造方法において、前記電流ブロック層を選択成長により平坦な結晶面上に形成する工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
引用特許：
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