半導体レーザ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200201
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、高いキンクレベルと温度特性との両立を図ることにあり、常温近傍では250mW程度のキンクレベルを持った発振波長が980nm近傍のレーザを提供することにある。【解決手段】 GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層、第二導電型第一クラッド層、電流ブロック層および第二導電型第二クラッド層を有し、該電流ブロック層および第二導電型第二クラッド層が電流注入領域を形成する半導体レーザであって、横方向の実効屈折率差Δneffが、発光波長において2.5×10-3以上5.0×10-3以下であって、かつ、該電流注入領域の幅Wが、1.5μm以上2.5μm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層、第二導電型第一クラッド層、電流ブロック層および第二導電型第二クラッド層を有し、該電流ブロック層および該第二導電型第二クラッド層が電流注入領域を形成する半導体レーザであって、横方向の実効屈折率差Δneffが、発光波長において2.5×10-3以上5.0×10-3以下であって、かつ、該電流注入領域の幅Wが、1.5μm以上2.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-225619 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-308756 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-145172

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