特許

J-GLOBAL ID：200903068825739717

半導体レーザ

発明者： 堀江 秀善 ,  藤森 俊成 ,  長尾 哲 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200201
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高いキンクレベルと温度特性との両立を図ることにあり、常温近傍では250mW程度のキンクレベルを持った発振波長が980nm近傍のレーザを提供することにある。【解決手段】 GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層、第二導電型第一クラッド層、電流ブロック層および第二導電型第二クラッド層を有し、該電流ブロック層および第二導電型第二クラッド層が電流注入領域を形成する半導体レーザであって、横方向の実効屈折率差Δneffが、発光波長において2.5×10-3以上5.0×10-3以下であって、かつ、該電流注入領域の幅Wが、1.5μm以上2.5μm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層、第二導電型第一クラッド層、電流ブロック層および第二導電型第二クラッド層を有し、該電流ブロック層および該第二導電型第二クラッド層が電流注入領域を形成する半導体レーザであって、横方向の実効屈折率差Δneffが、発光波長において2.5×10-3以上5.0×10-3以下であって、かつ、該電流注入領域の幅Wが、1.5μm以上2.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (15件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225619   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-308756   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-145172
  
• 特開平4-196801
  
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-167324   出願人：三菱化学株式会社
• 特開昭62-073687
  
• 半導体レーザおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016843   出願人：ローム株式会社
• 特開昭55-123191
  
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225546   出願人：沖電気工業株式会社
• 歪層量子井戸レーザを含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-318049   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 歪量子井戸半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-070599   出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
• 特開平3-145172
  
• 特開平4-196801
  
• 特開昭62-073687
  
• 特開昭55-123191