特許
J-GLOBAL ID：200903002949993491

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
磯部 敦生

磯部 敦生 について

, 
山口 哲司

山口 哲司 について

, 
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154865
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013481
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に形成される第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されるフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に形成される第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成される第1のゲート電極とを有する第1のトランジスタと、 第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域上に形成される第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成される第2のゲート電極とを有する第2のトランジスタとを有し、 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは、同一絶縁表面上に形成され、 前記フローティングゲート電極は、点在する複数の粒子であることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (12件)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/58 G
Fターム (191件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F083EP17 ,  5F083EP24 ,  5F083EP43 ,  5F083EP54 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER21 ,  5F083GA05 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA04 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA08 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F101BA54 ,  5F101BB04 ,  5F101BD30 ,  5F101BD41 ,  5F101BH02 ,  5F101BH16 ,  5F101BH17 ,  5F101BH21 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE24 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL21 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA03 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE07
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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